3月份Intel新任CEO帕特·基辛格宣布了全新的亲自IDM 2.0战略，其中主要内容就是驾驶机亿投资200亿美元在美国建设2座新的晶圆厂。9月24日，挖掘基辛格驾驶挖掘机正式给新项目奠基，元工2024年这些工厂要首发量产20A埃米工艺。厂动

美国亚利桑那州是亲自Intel晶圆生产的重镇，算上这次的驾驶机亿投资，Intel公司40多年来已经在该地区投资了500亿美元，挖掘CEO基辛格表示这次的元工投资代表着Intel致力于在该领域长期投资，帮助美国半导体重回领先地位。厂动

该投资计划预计将创造3000多个高技术、亲自高薪酬的驾驶机亿长期工作岗位，以及3000多个建筑就业岗位和大约15000个当地长期工作岗位。挖掘

Intel公布了这里两座晶圆厂的元工细节，分别会命名为Fab 52、厂动Fab 62，冷门游戏辅助并首次透露这些工厂将会在2024年量产20A工艺——这与之前预期的不同，原本以为会量产的是Intel 4这样的下两代工艺。

Intel 20A工艺是今年7月份才公布的，是Intel 10/7/4/3工艺之后的升级版，而且首次进入后纳米时代，直接用了埃米（A代表的是?ngstrom，1纳米等于10埃米），技术细节美公布，但字面意义上看20A差不多就是2nm工艺的级别，符合3nm之后的摩尔定律升级规则。

20A工艺除了EUV光刻工艺之外，绝地求生黑号还会有2大黑科技——R ibbonFET及PowerVia。

根据Intel所说，RibbonFET是Intel对Gate All Around晶体管的实现，它将成为公司自2011年率先推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度，同时实现与多鳍结构相同的驱动电流，但占用的空间更小。

PowerVia是Intel独有的、业界首个背面电能传输网络，通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

按照规划，20A工艺预计会在2024年量产，届时台积电的2nm工艺应该也会问世，Intel的工艺再次回到最先进水平。

(责任编辑：知识)